型号/品牌/封装
品类/描述
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价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列 一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)67181+￥54.753610+￥51.6120100+￥49.2782250+￥48.9192500+￥48.56021000+￥48.15622500+￥47.79725000+￥47.5728 -
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品类: MOS管描述: TO-3P N-CH 500V 30A81651+￥90.930510+￥86.9770100+￥86.2654250+￥85.7119500+￥84.84211000+￥84.44682500+￥83.89335000+￥83.4189 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列 一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备27595+￥24.008450+￥22.9824200+￥22.4078500+￥22.26421000+￥22.12062500+￥21.95645000+￥21.85387500+￥21.7512 -
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品类: MOS管描述: TO-220 N-CH 40V 300A49585+￥29.331950+￥28.0784200+￥27.3764500+￥27.20101000+￥27.02552500+￥26.82495000+￥26.69967500+￥26.5742 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3Pin(3+Tab) TO-24764425+￥33.391850+￥31.9648200+￥31.1657500+￥30.96591000+￥30.76612500+￥30.53785000+￥30.39517500+￥30.2524 -
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品类: MOS管描述: TO-247AD P-CH 200V 48A11531+￥61.594010+￥58.9160100+￥58.4340250+￥58.0590500+￥57.46991000+￥57.20212500+￥56.82725000+￥56.5058 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220-324545+￥17.655350+￥16.9008200+￥16.4783500+￥16.37271000+￥16.26702500+￥16.14635000+￥16.07097500+￥15.9954 -
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品类: MOS管描述: 通孔 N 通道 850V 66A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247™-379731+￥171.913510+￥167.428850+￥163.9905100+￥162.7946200+￥161.8977500+￥160.70181000+￥159.95432000+￥159.2069 -
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品类: MOS管描述: TO-263AA N-CH 1200V 6A65291+￥52.887010+￥49.8525100+￥47.5983250+￥47.2515500+￥46.90471000+￥46.51462500+￥46.16785000+￥45.9510 -
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品类: MOS管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXFH50N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 4 V96355+￥5.008525+￥4.637550+￥4.3778100+￥4.2665500+￥4.19232500+￥4.09965000+￥4.062510000+￥4.0068 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 系列 ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备13441+￥148.327010+￥144.457650+￥141.4911100+￥140.4592200+￥139.6853500+￥138.65351000+￥138.00862000+￥137.3637 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 1kV 1.6A 3Pin(2+Tab) TO-252AA58735+￥12.577550+￥12.0400200+￥11.7390500+￥11.66381000+￥11.58852500+￥11.50255000+￥11.44887500+￥11.3950 -
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品类: MOS管描述: IXFN38N100Q2 一个物料配4个螺丝70651+￥249.998510+￥243.476850+￥238.4768100+￥236.7377200+￥235.4334500+￥233.69431000+￥232.60732000+￥231.5204 -
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品类: MOS管描述: N-沟道 150 V 1070 W 715 nC TranchT2 HiperFET 功率 MosFet 表面贴装 - SOT-22766051+￥358.443510+￥349.092850+￥341.9239100+￥339.4304200+￥337.5603500+￥335.06681000+￥333.50832000+￥331.9499 -
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品类: MOS管描述: TO-3P N-CH 100V 160A21251+￥48.275410+￥45.5055100+￥43.4479250+￥43.1313500+￥42.81471000+￥42.45862500+￥42.14215000+￥41.9442 -
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品类: MOS管描述: TO-263AA P-CH 85V 96A30875+￥27.424850+￥26.2528200+￥25.5965500+￥25.43241000+￥25.26832500+￥25.08085000+￥24.96367500+￥24.8464 -
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品类: MOS管描述: N沟道 1.2kV 200mA928410+￥10.1040100+￥9.5988500+￥9.26201000+￥9.24522000+￥9.17785000+￥9.09367500+￥9.026210000+￥8.9926 -
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品类: MOS管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXFN100N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 100 A, 500 V, 49 mohm, 10 V, 5 V90265+￥4.387525+￥4.062550+￥3.8350100+￥3.7375500+￥3.67252500+￥3.59135000+￥3.558810000+￥3.5100 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS X2 系列 与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含本征二极管，适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。 极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备84341+￥56.022410+￥52.8080100+￥50.4202250+￥50.0528500+￥49.68541000+￥49.27222500+￥48.90485000+￥48.6752 -
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品类: MOS管描述: 表面贴装型 N 通道 1500V 3A（Tc） 250W（Tc） TO-26350181+￥59.282510+￥56.7050100+￥56.2411250+￥55.8802500+￥55.31321000+￥55.05542500+￥54.69465000+￥54.3853 -
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品类: MOS管描述: N沟道 650V 34A98835+￥13.560350+￥12.9808200+￥12.6563500+￥12.57521000+￥12.49402500+￥12.40135000+￥12.34347500+￥12.2854 -
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品类: MOS管描述: N沟道 100V 420A13871+￥240.764010+￥234.483250+￥229.6679100+￥227.9930200+￥226.7369500+￥225.06201000+￥224.01522000+￥222.9684 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiPerFET™ X2 系列 与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管，且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。 极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 快速本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备76011+￥60.329010+￥56.8675100+￥54.2961250+￥53.9005500+￥53.50491000+￥53.05992500+￥52.66435000+￥52.4170 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3Pin(3+Tab) TO-26418891+￥93.380010+￥89.3200100+￥88.5892250+￥88.0208500+￥87.12761000+￥86.72162500+￥86.15325000+￥85.6660 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiPerFET™ X2 系列 与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管，且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。 极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 快速本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备90971+￥50.032210+￥47.1615100+￥45.0290250+￥44.7009500+￥44.37281000+￥44.00372500+￥43.67575000+￥43.4706 -
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品类: MOS管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXFH60N50P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 500 V, 0.1 ohm, 10 V, 5 V69251+￥62.433510+￥59.7190100+￥59.2304250+￥58.8504500+￥58.25321000+￥57.98172500+￥57.60175000+￥57.2760 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 80A 3Pin PLUS 26485681+￥220.800010+￥215.040050+￥210.6240100+￥209.0880200+￥207.9360500+￥206.40001000+￥205.44002000+￥204.4800
